针对大规模阵列天线辐射近场电磁兼容性问题,基于有源单元方向图原理和子阵信息的综合方法计算了大规模阵列天线辐射近场场强的分布。该方法采用等效技术获取大规模阵列天线的端口特性,进一步结合天线单元的远场数据综合分析得到大规模阵列天线的近场分布;计算结果表明,在满足天线单元辐射远场条件下,该方法能够准确计算出大规模阵列天线的辐射近场分布。相较于全波分析,本方法在保证精度的同时,提高了计算效率,并且具有良好的灵活性。通过全波分析的数值算例验证了该方法的正确性。萸?得大规模阵列天线的近场特性。与有源单元方向图方法计算远场不同的是，近场信息的计算无法采用固定的相位中心，近场近似计算方法-数控滚圆机滚弧机倒角机张家港电动滚圆机滚弧机折弯机在辐射场叠加过程中，相位中心随着天线单元而不断转移。本方法在保证精度的同时，降低了方法的复杂度。通过与全波分析方法的比较验证了该方法的正确性。1方法简介1．本文由公司网站滚圆机网站采集转载中国知网资源整理!www.gunyuanji.name1子阵信息综合子阵信息综合的方法是一种近似求解大规模平面周期阵列端口特性的有效方法，适用于周期环境下的阵列天线。结合子阵的端口特性以及子阵中单元的特点，该方法能够近似提取大规模阵列天线的端口信息［9-10］。图1所示的即是利用单元数目为M=5的线阵来等效单元数目为N=7的线阵的端口特性，类似的方法可以推广到二维平面阵列。1．2阵列天线辐射近场计算考虑如图2所示的孔径阵列天线，孔径位于z=图1五个单元子阵等效七个单元阵列示意图0的平面内。我们假设:(1)阵列天线采用统一的天线单元;(2)每个单元的电流分布或者孔径场分布相同;(3)电流或孔径场振幅与所加激励成正比(单模假设)。对于位于xm和ym的第m个单元，其切向孔径场的分布为ETm(rm)=Amet(rm)(1)其中，et(rm)表示电场在rm的孔径中的空间切向分布，常量Am表示切向孔径场的复振幅。根据电磁辐射理论，第m个单元在远场区的辐射可以近似表示为［8］Em(r)=jk04πe－jk0rr×∫［cosθETm(rm)－z^r^·ETm(rm)］ejk0r^·rmdsm(2)其中，r和rm分别表示目标点和源点的位置，θ表示口径面法向与r的夹角。图2孔径阵列的分布以及孔径单元之间的耦合孔径切向电场的复振幅Am不仅包括天线孔径处的外加场，而且还包括孔径处反射信号所产生的场以及孔径中由其近场近似计算方法-数控滚圆机滚弧机倒角机张家港电动滚圆机滚弧机折弯机本文由公司网站滚圆机网站采集转载中国知网资源整理!www.gunyuanji.name